IGBT 2MBI75L120

Описание IGBT-модуля 2MBI75L120

2MBI75L120 — это IGBT-модуль от компании Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through) и обладает низкими потерями проводимости и переключения. Он широко используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 150 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 90 нс |
| Время выключения (t_off) | 370 нс |
| Диод обратного восстановления (V_RRM) | 1200 В |
| Корпус | 2MBI (изолированный, с базовой пластиной) |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C … +150°C |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули Mitsubishi:

• 2MBI75N-120 (NPT-IGBT, 1200V, 75A)
• 2MBI75L-120 (аналогичный, но с улучшенными характеристиками)
• 2MBI100L-120 (аналог на 100А)
• CM75DY-24H (более старый аналог от Mitsubishi)

Совместимые модули других производителей:

• Infineon: FF75R12KT4 (1200V, 75A)
• Fuji Electric: 2MBI75L-120 (аналогичный)
• SEMIKRON: SKM75GB12T4 (1200V, 75A)

Примечание

При замене модуля следует учитывать не только электрические характеристики, но и тепловые параметры, а также конструкцию корпуса (распиновка, крепление).

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или схемам применения, уточните запрос!