IGBT 2mi150u2a-060

Описание IGBT модуля 2MI150U2A-060

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, в зависимости от фактического бренда)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT-IGBT + FRD)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Технические характеристики:

1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
2. Номинальный ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
3. Импульсный ток (I_CM): 300 А
4. Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт (с теплоотводом)
5. Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1.8 В (при 75°C)
6. Время включения/выключения (t_on/t_off): 50 нс / 150 нс
7. Температурный диапазон: -40°C до +150°C (корпус)
8. Корпус: модуль с изолированным основанием (например, 62 мм)
9. Встроенные диоды: Быстровосстанавливающиеся FRD (Freewheeling Diode)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R06KE3
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-060
• Semikron: SKM150GB066D

Совместимые модели Mitsubishi (если оригинал):

• CM150DU-12F
• PM150DSA060

Важно: При замене проверяйте распиновку, параметры V_CE, I_C и тепловые характеристики!

Применение:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если у вас есть дополнительные параметры или требуется уточнение производителя, укажите их для более точной информации.