IGBT 2SC0106T2A1-12

Описание IGBT модуля 2SC0106T2A1-12

2SC0106T2A1-12 – это IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для мощных преобразователей энергии, промышленных приводов и инверторных систем. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами (полумостовая конфигурация) и рассчитан на работу в высоковольтных и сильноточных цепях.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
• Встроенные NTC-термисторы для контроля температуры.
• Высокая перегрузочная способность.
• Оптимизированная конструкция для уменьшения паразитных индуктивностей.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Конфигурация | Полумост (2x IGBT + 2x диод) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 6 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 10 А (при 80°C) |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 12 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 40 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) |
| Диодное прямое напряжение (V_F) | 1,7 В (тип.) |
| Корпус | 12-выводной модуль (EASY1B) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Термистор (NTC) | Встроен |

Совместимые модели и парт-номера

Прямые аналоги Infineon:

• 2SC0106T2A0-12 (предыдущая версия)
• 2SC0106T2F0-12 (с улучшенными характеристиками)
• 2SC0108T2A0-12 (8A, 1200V)

Аналоги от других производителей:

• SEMiX202GB12E4s (Semikron)
• SKM100GB12T4 (Semikron)
• FP10R12YT3 (Fairchild/ON Semiconductor)
• MG12100H-XBN2MM (Mitsubishi Electric)

Применение

• Промышленные инверторы и частотные преобразователи.
• Системы управления электродвигателями.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Солнечные инверторы.

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять спецификации на совпадение параметров (V_CES, I_C, корпус, управляющие напряжения).