IGBT 2SC0435T2A0-17

Описание IGBT 2SC0435T2A0-17

IGBT 2SC0435T2A0-17 — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в силовой электронике. Данный модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-----------------------------------|
| Производитель | Mitsubishi Electric / Infineon (возможно) |
| Тип модуля | IGBT + диод (2-канальный) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт (зависит от охлаждения) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.1 В (тип.) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Корпус | модуль с изолированной основой |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться по характеристикам, перед заменой требуется проверка даташитов:

Оригинальные аналоги:

• 2SC0435T2A0-17 (Mitsubishi)
• CM75DY-24H (Powerex)
• FF75R17KE3 (Infineon)

Частично совместимые модели:

• 2MBI75N-170 (Fuji Electric)
• SKM75GB17T4 (Semikron)
• MG75Q2YS40 (Toshiba)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и параметры в технической документации, так как разные производители могут использовать различные схемы включения. Для точного подбора аналога лучше обратиться к официальным даташитам или поставщикам компонентов.

Если у вас есть дополнительные вопросы или нужна помощь с подбором аналога, уточните параметры вашего применения!