IGBT 2SP0115T2A0/12

Описание IGBT модуля 2SP0115T2A0/12

Производитель: Infineon Technologies
Тип: Двухканальный IGBT модуль с обратным диодом
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 15 А
• Импульсный ток (I_CM): 30 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 75 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C … +150°C
• Тепловое сопротивление (R_thJC): 0,75 К/Вт

Параметры переключения:

• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,7 В (при I_C = 15 А)

Встроенный диод:

• Прямое напряжение диода (V_F): 1,6 В (при I_F = 15 А)
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Корпус и монтаж:

• Тип корпуса: 12-выводной модуль (Dual in-line)
• Материал основания: керамика (изолированный корпус)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Infineon:

• 2SP0115T2A0-12 (полное обозначение)
• 2SP0115T2B0-12 (модификация с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI15S-120
• Mitsubishi Electric: CM15DY-12S
• Semikron: SKM15GB12T4

Применение и замена

Модуль 2SP0115T2A0/12 может быть заменен на аналоги с похожими параметрами (V_CES ≥ 1200 В, I_C ≥ 15 А). При выборе аналога важно учитывать:

• Рабочее напряжение и ток,
• Тип корпуса и схему подключения,
• Наличие встроенного диода.

Если требуется более мощная версия, можно рассмотреть 2SP0215T2A0-12 (20 А, 1200 В).

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet производителя.