IGBT 3012A6

Описание IGBT 3012A6

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 3012A6 – это мощный полупроводниковый ключ, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями, сварочном оборудовании и промышленной автоматике.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | NPT IGBT (Non-Punch Through) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при 30 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 150 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Встроенный диод | Да (FWD) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены (полные аналоги):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG30N120B3D (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXGH30N120B3 (IXYS)
• STGW30NC120HD (STMicroelectronics)
• APT30GR120J (Microsemi)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для солнечных электростанций
• Сварочные аппараты
• Силовые импульсные блоки питания

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или применению, укажите дополнительные параметры (например, производитель, условия эксплуатации).