IGBT 302GB12VS

Описание IGBT-модуля 302GB12VS

IGBT-модуль 302GB12VS – это высоковольтный силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль объединяет в себе IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды, обеспечивая высокую эффективность и надежность в работе.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT + диод (Dual/2-in-1) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 300 А | | Ток при импульсной нагрузке (I_CM) | до 600 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,1 В (тип.) | | Напряжение прямого падения на диоде (V_F) | ~1,7 В (тип.) | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~1200 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40 °C … +150 °C | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,12 °C/Вт | | Корпус | Стандартный (например, 62 мм × 140 мм) | | Изоляция корпуса | Да (2500 В AC) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF300R12KE3, FZ300R12KE3
• Mitsubishi: CM300DY-12S
• Fuji: 2MBI300S-120
• Semikron: SKM300GB12V
• Powerex: CM300HA-12H

Совместимые модели инверторов/преобразователей:

• Сварочные аппараты (ESAB, Kemppi, Lincoln Electric)
• ЧРП (Danfoss, ABB, Siemens)
• Промышленные инверторы (Yaskawa, Omron)

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнить распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции.

Если вам нужно более точное соответствие для конкретного устройства, укажите модель оборудования – помогу подобрать оптимальный аналог.