IGBT 303GB126HDS

Описание IGBT 303GB126HDS

IGBT 303GB126HDS – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных преобразователей энергии, инверторов и импульсных источников питания. Модуль оснащен встроенным диодом обратного восстановления (FRD), что делает его пригодным для высокочастотных коммутационных приложений.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкие потери при переключении
• Высокая перегрузочная способность
• Термостойкая конструкция с изолированным основанием

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|-------------------------------|
| Тип устройства | IGBT + диод |
| Напряжение V_CES | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 300 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 600 А |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Мощность (P_tot) | ~500 Вт (с радиатором) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Температура хранения | -40°C ... +125°C |
| Корпус | модульный (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF300R12KE3, FZ300R12KE3
• Mitsubishi: CM300DY-12H
• SEMIKRON: SKM300GB126D
• Fuji Electric: 2MBI300VA-120-50

Совместимые модули (по параметрам):

• IXYS IXGN300N120B3
• Powerex CM300HA-24H
• Hitachi HA300TB120

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы
• Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы)

Если вам нужна точная замена, рекомендуется сверять распиновку и характеристики, так как параметры могут незначительно отличаться.