IGBT 303GB12E4V2

Описание IGBT модуля 303GB12E4V2

303GB12E4V2 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в силовой электронике, таких как:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль выполнен в стандартном корпусе с изолированной базой, что обеспечивает эффективное охлаждение и простоту монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|---------------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумост) |
| Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 300 А (при 25°C) / 150 А (при 100°C) |
| Ток коллектора (импульсный) | До 600 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~600 Вт (с радиатором) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при 300 А) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~50 нс / 300 нс |
| Температура эксплуатации | -40°C … +150°C |
| Корпус | Изолированный (например, SEMiX 4) |
| Вес | ~200 г |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: FF300R12KE4, FZ300R12KE4
• Mitsubishi: CM300DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI300V-120-50
• SEMIKRON: SKM300GB12E4

Частично совместимые (требуется проверка распиновки):

• 303GB12T4 (более новая версия)
• 303GB12E4 (аналог без суффикса V2)
• SKM300GB128D (аналог от SEMIKRON)

Примечания по замене

• Перед заменой проверьте распиновку и параметры (особенно напряжение и ток).
• Учитывайте тепловые характеристики и способ охлаждения.
• Рекомендуется использовать термопасту и затягивать крепления с рекомендованным моментом.

Если вам нужна спецификация по конкретному производителю или datasheet, уточните модель бренда.