IGBT 30n60a4d

Описание IGBT 30N60A4D

IGBT 30N60A4D – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и сильноточных приложений. Обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его идеальным для импульсных источников питания, инверторов, сварочного оборудования и систем управления двигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|---------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT с антипараллельным диодом | | Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 A | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 A | | Пиковый ток (I_CM) | 60 A | | Мощность рассеивания (P_D) | 180 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,55 В (при I_C = 15 A) | | Время включения (t_on) | 25 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Тип корпуса | TO-247 (3 вывода) | | Диапазон температур | -55°C до +150°C |

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера (альтернативные модели)

• IRGB30B60PD1 (Infineon)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (STMicroelectronics)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)
• NGTB30N60A4WG (ON Semiconductor)

Совместимые модели (аналоги по характеристикам)

• IRGP30B60PD1 (Infineon)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• APT30GR60J (Microchip Technology)

Примечание

При замене на аналог следует учитывать:

• Напряжение V_CES (не менее 600 В)
• Ток I_C (желательно ≥30 A)
• Тип корпуса (TO-247 для совместимости по монтажу)

Если вам нужна более точная информация по конкретному применению, уточните условия работы (частота переключения, температура и т. д.).