IGBT 31NAB12T10

Описание IGBT модуля 31NAB12T10

31NAB12T10 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного хода, предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и простоту монтажа. Он обладает высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам, что делает его подходящим для промышленного применения.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 31 А
• Импульсный ток коллектора (I_CM): до 62 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~150 Вт (в зависимости от условий охлаждения)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ~2,0 В (типовое)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~200 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Встроенный диод:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 31 А

Тепловые параметры:

• Термическое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): ~0,35 °C/Вт
• Термическое сопротивление корпус-радиатор (R_th(c-h)): зависит от монтажа

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (cross-reference):

• Infineon: IKW40N120T2
• Fuji Electric: 2MBI100S-120
• Mitsubishi: CM100TU-12H
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Аналоги с близкими параметрами:

• IXYS: IXGH40N120B3
• STMicroelectronics: STGW40NC120HD

При замене рекомендуется учитывать различия в корпусе, тепловых характеристиках и схеме подключения.

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты

Если вам нужна более точная информация по конкретному производителю или дополнительные аналоги, уточните параметры замены.