IGBT 352gal128Ds

Описание IGBT модуля 352gal128Ds

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль 352gal128Ds — это силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Промышленные источники питания
• Устройства плавного пуска

Модуль сочетает преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери проводимости), что делает его эффективным решением для мощных электронных систем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT модуль (NPT/Trench) |
| Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 128 А |
| Ток импульса (I_CM) | 256 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 128 А) |
| Встроенный диод | Да (Flyback diode) |
| Корпус | Стандартный модульный (например, 62 мм) |
| Температура хранения | -40°C ... +125°C |
| Термосопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |

Part-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF1400R12IP4, FZ1200R12KF4
• Mitsubishi: CM1200DY-24S
• Fuji Electric: 2MBI200XB-120
• SEMIKRON: SKM400GB128D

Совместимые модели (по характеристикам):

• 352gal120Ds (1200 В, 120 А)
• 352gal150Ds (1200 В, 150 А)
• 352gal100Ds (1200 В, 100 А)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи (например, Siemens, ABB)
• Сварочные инверторы
• Тяговые преобразователи (электромобили, ж/д транспорт)
• ИБП и солнечные инверторы

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос.