IGBT 3600V125A

Описание IGBT модуля 3600V 125A

Этот IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) предназначен для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные приводы
• Энергетические системы (HVDC, FACTS)
• Электрические транспортные системы (поезда, трамваи)
• Возобновляемая энергетика (инверторы для солнечных и ветровых установок)

Модуль обладает высокой надежностью, низкими коммутационными потерями и высокой перегрузочной способностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 3600 V |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 125 A (непрерывный) |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | до 250 A (импульсный) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.5–3.5 V (тип.) |
| Время включения (t_on) | ~0.2–0.5 мкс |
| Время выключения (t_off) | ~0.5–1.5 мкс |
| Макс. рабочая температура | 125–150°C (в зависимости от модели) |
| Корпус | Стандартный модуль (например, 62 мм или 140 мм) |
| Схема включения | Одиночный/двухключевой (Half-Bridge) |

Парт-номера и совместимые модели

Производители и аналогичные модули:

Infineon Technologies

• FF1200R12IE5 (1200V, 1200A, но в схожих корпусах)
• FZ1200R33HE3 (3300V, 1200A) – более мощный аналог

Mitsubishi Electric

• CM1200HC-66H (3300V, 1200A)
• CM600HA-66H (3300V, 600A)

ABB

• 5SNA 1200G450300 (4500V, 1200A) – для более высоких напряжений

Hitachi

• MBN1200HC33 (3300V, 1200A)

Semikron

• SKiiP 3600GB176-4DUL (3600V, 176A)

Примечания по замене

• При замене необходимо учитывать:
  • Рабочее напряжение и ток
  • Тип корпуса и схему подключения
  • Тепловые характеристики (охлаждение)
• Рекомендуется проверять документацию производителя на совместимость.

Если вам нужны точные параметры для конкретного модуля (например, потерь или теплового сопротивления), укажите производителя – помогу найти даташит.