IGBT 37NAB12T4V1

Описание IGBT модуля 37NAB12T4V1

IGBT 37NAB12T4V1 – это высоковольтный транзисторный модуль с обратным диодом, предназначенный для управления мощными нагрузками в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах и системах электропривода. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 37 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 74 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | до 200 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~35 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | Изолированный (например, NAB) | | Вес | ~100 г (зависит от производителя) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12KT3, FF75R12RT4
• Mitsubishi: CM75DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI100VA-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG

Похожие модели от других производителей:

• STMicroelectronics: STGW40H120DF3
• IXYS: IXGH40N120B3

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнить распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и конструкции. Для точного подбора аналога лучше использовать даташит оригинального производителя (например, Infineon или Mitsubishi).

Если вам нужны дополнительные данные (структура модуля, схема подключения), уточните производителя или запросите документацию.