IGBT 38NAB12T4V1

IGBT 38NAB12T4V1
Артикул: 295740

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT 38NAB12T4V1

Описание IGBT модуля 38NAB12T4V1

IGBT модуль 38NAB12T4V1 – это высоковольтный силовой транзистор с обратным диодом (NPT IGBT + FRD), предназначенный для применения в инверторах, промышленных приводах, сварочных аппаратах и системах управления электродвигателями. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, обеспечивая высокую эффективность в силовых электронных схемах.


Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-IGBT + FRD) | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC при 25°C) | 38 A (непрерывный) | | Ток коллектора (IC при 80°C) | 24 A (непрерывный) | | Импульсный ток (ICM) | 76 A | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (ton) | 40 нс (тип.) | | Время выключения (toff) | 230 нс (тип.) | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.35 °C/Вт | | Корпус | 38-контактный, модуль N-серии | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |


Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные аналоги:

  • 38NAB12T4 (базовая версия)
  • 38NAB12T4V1 (модификация с улучшенными характеристиками)

Альтернативные и совместимые модели:

  • FZ38N12T4 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • CM38DY-12T (Mitsubishi Electric)
  • IRG4BC30UD (International Rectifier/Infineon) – менее мощный аналог

Перекрестная совместимость:

Модуль может заменяться на аналоги с такими же параметрами (1200 В, ~38 А), но перед установкой рекомендуется проверять распиновку и тепловые характеристики.


Применение

  • Преобразователи частоты
  • Инверторы
  • Сварочные аппараты
  • Системы управления двигателями
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужны дополнительные данные (графики, datasheet), уточните!

Товары из этой же категории