IGBT 3HF60HD

IGBT 3HF60HD – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 60 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 120 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-контактный) |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера аналогов:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650V, 60A)
• HGTG30N60A4D (Renesas, 600V, 60A)
• STGW60H65DFB (STMicroelectronics, 650V, 60A)

Совместимые модели в схемах:

• 3HF60HD может заменяться на 3HF60H (аналог с близкими параметрами).
• В некоторых схемах взаимозаменяем с FGH60N60SMD (если требуется более высокая частота переключения).

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если требуется точная замена, важно учитывать параметры схемы (напряжение, ток, частота переключений). Для критичных применений рекомендуется проверять datasheet заменяемого компонента.

Нужны дополнительные данные по распиновке или графикам характеристик?