IGBT 3months

Описание IGBT модуля (3 месяца использования)

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – это силовой полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Модуль использовался в течение 3 месяцев и находится в хорошем рабочем состоянии.

Основные характеристики:

• Тип: IGBT модуль (NPT, PT или TrenchStop в зависимости от модели)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600V, 1200V, 1700V или др.
• Ток коллектора (I_C): 10A – 600A (в зависимости от модели)
• Максимальная мощность рассеивания (P_tot): указана в даташите
• Скорость переключения: высокая (от 5 кГц до 100 кГц)
• Корпус: стандартный (например, TO-247, TO-220, TO-3P, модули SEMIKRON, Infineon, Mitsubishi и др.)
• Температура эксплуатации: -40°C до +150°C
• Защита: встроенный диод (антипараллельный) в некоторых моделях

Популярные парт-номера:

1. Infineon:
   • FF300R12KE3 (300A, 1200V)
   • IKW40N65H5 (40A, 650V)
   • IRG4PH40UD (25A, 600V)
2. Mitsubishi:
   • CM300DY-24A (300A, 1200V)
   • CM600DY-24H (600A, 1200V)
3. SEMIKRON:
   • SKM200GB12T4 (200A, 1200V)
   • SKM100GB12V (100A, 1200V)
4. Fuji Electric:
   • 2MBI200XBE120-50 (200A, 1200V)
   • 6MBP50RA120 (50A, 1200V)

Совместимые модели:

• Для инверторов, ЧПУ, сварочных аппаратов, электроприводов
• Промышленные частотные преобразователи (VFD)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы
• Тяговые преобразователи (электромобили, поезда)

Если у вас есть конкретная модель IGBT, уточните – я помогу подобрать аналог или дам точные параметры!