IGBT 400/0.2-BVR

Описание IGBT модуля 400/0.2-BVR

IGBT 400/0.2-BVR – это силовой транзисторный модуль с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в импульсных и силовых электронных устройствах. Модуль отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и надежной конструкцией.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 400 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 0.2 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 0.15 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 1.5 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.2 В |
| Время включения (t_on) | 15 нс |
| Время выключения (t_off) | 25 нс |
| Корпус | TO-252 (DPAK) / TO-263 (D2PAK) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные и аналогичные модели:

• Infineon: IKW20N40H3
• STMicroelectronics: STGW20H40DF
• ON Semiconductor: FGH20N40
• Fairchild (ON Semi): FGA20N40
• Toshiba: GT20D101

Совместимые модели:

• IR (Infineon): IRG4BC20U
• Vishay: IRG4PC20U
• IXYS: IXGH20N40

Применение

• Импульсные источники питания
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование

Если вам нужны дополнительные данные по аналогам или специфические параметры, уточните детали.