IGBT 40-DIP

Описание IGBT 40-DIP

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 40-DIP – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором в корпусе DIP (Dual In-line Package), предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений. Основные сферы применения:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Импульсные источники питания
• Системы управления двигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 40 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 80 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,0 В (при I_C = 40 А) |
| Входная емкость (C_ies) | 3000 пФ |
| Тепловое сопротивление корпус-окружающая среда (R_thJC) | 0,5 °C/Вт |
| Рабочая температура | -40 °C до +150 °C |
| Корпус | DIP (Dual In-line Package) |
| Количество выводов | 3 или 5 (в зависимости от модификации) |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA40N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW40NC60WD (STMicroelectronics)
• NGTB40N60FL2WG (ON Semiconductor)

Совместимые модели:

• IRG4PC40U (600 В, 40 А)
• HGTG40N60B3 (600 В, 40 А)
• IXGH40N60B3D1 (600 В, 40 А)

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и корпусах.

Если вам нужны более точные данные по конкретной модели, укажите производителя или datasheet.