IGBT 40n50

Описание IGBT 40N50

IGBT 40N50 – это мощный транзистор с изолированным затвором (Insulated Gate Bipolar Transistor), рассчитанный на напряжение 500 В и ток 40 А. Используется в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах и электроприводах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|-------------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 40 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 80 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8–2.5 В (при I_C = 40 А) |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 200–300 Вт (зависит от корпуса и охлаждения) |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Скорость переключения | Высокая (десятки–сотни нс) |
| Тип корпуса | TO-247, TO-3P (зависит от производителя) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IRG4PC50UD (International Rectifier, 500 В, 45 А)
• FGH40N50SFD (Fairchild/ON Semi, 500 В, 40 А)
• IXGH40N50A (IXYS, 500 В, 40 А)
• STGW40NC50WD (STMicroelectronics, 500 В, 40 А)

Совместимые модели с близкими характеристиками:

• 40N60 (600 В, 40 А)
• 50N50 (500 В, 50 А)
• IRGP4063DPbF (600 В, 48 А)

Применение

• Силовые инверторы и преобразователи
• Сварочные аппараты
• Драйверы двигателей
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в корпусах и параметрах.

Если вам нужна точная замена, уточните производителя оригинального компонента (Infineon, STMicro, Fairchild и др.).