IGBT 40n50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 40n50
Описание IGBT 40N50
IGBT 40N50 – это мощный транзистор с изолированным затвором (Insulated Gate Bipolar Transistor), рассчитанный на напряжение 500 В и ток 40 А. Используется в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах и электроприводах.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|-------------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 500 В |
| Максимальный ток коллектора (IC) | 40 А |
| Максимальный импульсный ток (ICM) | 80 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~1.8–2.5 В (при IC = 40 А) |
| Мощность рассеяния (Ptot) | 200–300 Вт (зависит от корпуса и охлаждения) |
| Температура перехода (Tj) | -55°C до +150°C |
| Скорость переключения | Высокая (десятки–сотни нс) |
| Тип корпуса | TO-247, TO-3P (зависит от производителя) |
Парт-номера и аналоги
Прямые аналоги (схожие параметры):
- IRG4PC50UD (International Rectifier, 500 В, 45 А)
- FGH40N50SFD (Fairchild/ON Semi, 500 В, 40 А)
- IXGH40N50A (IXYS, 500 В, 40 А)
- STGW40NC50WD (STMicroelectronics, 500 В, 40 А)
Совместимые модели с близкими характеристиками:
- 40N60 (600 В, 40 А)
- 50N50 (500 В, 50 А)
- IRGP4063DPbF (600 В, 48 А)
Применение
- Силовые инверторы и преобразователи
- Сварочные аппараты
- Драйверы двигателей
- ИБП (источники бесперебойного питания)
Примечание
Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в корпусах и параметрах.
Если вам нужна точная замена, уточните производителя оригинального компонента (Infineon, STMicro, Fairchild и др.).