IGBT 40n60

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 40n60
IGBT 40N60: Описание и технические характеристики
Описание
IGBT 40N60 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), рассчитанный на напряжение коллектор-эмиттер 600 В и ток 40 А. Используется в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочных аппаратах, электроприводах и других устройствах, где требуется высокое напряжение и большой ток.
Отличается низкими потерями проводимости и переключения, высокой скоростью работы и встроенным обратным диодом (антипараллельный диод).
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 40 А | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 20 А | | Импульсный ток (ICM) | 80 А | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~2 В (при 20 А) | | Время включения (ton) | ~30 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Корпус | TO-247 (или TO-3P в зависимости от производителя) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 200 Вт |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от других производителей:
- Infineon: IKW40N60T, IKW40N60H3
- STMicroelectronics: STGW40NC60WD, STGWA40NC60WD
- Fairchild/ON Semiconductor: FGA40N60SMD, FGH40N60SMD
- Toshiba: GT40QR21
- Mitsubishi: CM400DY-24A (двойной IGBT модуль)
Совместимые модели в схемах:
- IRG4PH40UD (International Rectifier)
- HGTG40N60C3 (Fairchild)
- FGA40N60UFD (ON Semiconductor)
Применение
- Инверторы и частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Управление электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Если вам нужна точная замена, лучше уточнить datasheet конкретного производителя, так как параметры могут незначительно отличаться.
Нужна дополнительная информация?