IGBT 41/12E

IGBT 41/12E: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT 41/12E — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных и силовых преобразовательных устройств. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных приложениях.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип транзистора | IGBT (N-канальный) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 41 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 82 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,5 В (при I_C = 25 А) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Тип корпуса | TO-247 (или другой, в зависимости от версии) |

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные парт-номера:

• Infineon: IKW40N120T2
• STMicroelectronics: STGW40NC120HD
• Fuji Electric: 2MBI100XAA120-50

Совместимые модели (аналоги):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• IXGH40N120B3 (IXYS)
• HGTG40N120B3 (Fairchild/ON Semiconductor)

Применяемость:
Подходит для замены в следующих устройствах:

• Преобразователи частоты (Danfoss, Siemens, ABB)
• Сварочные инверторы (ESAB, Fronius, Kemppi)
• Источники питания (универсальные модули)

Примечание:
Перед заменой необходимо уточнять распиновку и характеристики, так как некоторые аналоги могут отличаться по параметрам динамических потерь и тепловым характеристикам.

Если вам нужны дополнительные данные по конкретному производителю, уточните модель устройства, в котором используется этот IGBT.