IGBT 470UF

Описание и технические характеристики IGBT модуля 470UF

IGBT 470UF – это высоковольтный силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), используемый в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочные аппараты и системы управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

• Тип модуля: IGBT + диод (полумост или другой вариант в зависимости от исполнения)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В / 1200 В (зависит от модификации)
• Номинальный ток коллектора (I_C): 50 А – 200 А (зависит от модели)
• Ток короткого замыкания (I_SC): Уточняется по даташиту
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1.8–2.5 В
• Время включения (t_on): ~50–100 нс
• Время выключения (t_off): ~200–500 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: Стандартный модульный (например, SEMiX, EconoPACK, 62mm)
• Степень защиты: Обычно IP20

Парт-номера и совместимые модели

В зависимости от производителя, модуль 470UF может иметь аналоги и замены:

Парт-номера:

• Infineon: FF200R12KE3, FZ200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24NF, CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-060, 2MBI200U4B-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4, SKM100GB12T4
• IXYS (Littelfuse): MIXA30PF1200T

Совместимые модели (зависит от параметров):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• HGTG20N60A4D (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для солнечных электростанций
• Сварочные аппараты
• Системы управления двигателями (промышленные приводы)

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя. Если у вас есть дополнительные параметры (например, напряжение, ток, корпус), уточните – помогу найти точную замену.