IGBT 500GA173D

Описание IGBT-модуля 500GA173D

500GA173D — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с высоким напряжением и током, предназначенный для применения в силовой электронике, таких как:

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Модуль имеет двухключевую структуру (Half-Bridge, 2-in-1), что делает его удобным для построения мостовых схем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | Half-Bridge (2 IGBT + 2 Diode) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 500 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 1000 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~2000 Вт* |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.5 В |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~500 нс |
| Температура эксплуатации | -40°C ... +150°C (корпус) |
| Тип корпуса | Стандартный модуль (например, 62мм) |
| Встроенные диоды | Да (FRD — Fast Recovery Diode) |

*Зависит от условий охлаждения.

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF500R17KE3, FF450R17KE3
• Mitsubishi: CM500DY-34H
• Fuji Electric: 2MBI500N-170
• Semikron: SKM500GB173D

Альтернативы с близкими параметрами:

• 500GB173D (версия с улучшенными динамическими характеристиками)
• 400GA173D (на 400 А, но с похожей структурой)
• 600GA173D (более мощная версия на 600 А)

Применение и особенности

• Высокая перегрузочная способность – подходит для тяжелых промышленных условий.
• Низкие потери при коммутации – эффективен в высокочастотных схемах.
• Интегрированные температурные датчики (в некоторых версиях).

Модуль требует качественного теплоотвода и правильного расчета системы охлаждения.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!