IGBT 50-12E8

Описание IGBT модуля 50-12E8

Тип: IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в силовых электронных системах, таких как:

• Частотные преобразователи
• Инверторы
• Промышленные приводы
• Источники питания
• Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Модуль 50-12E8 сочетает высокую эффективность, устойчивость к перегрузкам и низкие потери проводимости/переключения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 30 А | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Потери при переключении (E_sw) | 0.9 мДж (тип.) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C | | Корпус | Полупроводниковый модуль (изолированный) | | Вес | ~100 г (зависит от производителя) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (модули с похожими параметрами):

• Infineon: FF50R12RT4, FF50R12KE3
• SEMIKRON: SKM50GB12T4, SKM50GB12V
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50U-120

Совместимые серии (аналогичные по характеристикам):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• IXYS: IXGH50N120
• Toshiba: MG50Q1BS41

Примечания

• Замена: При выборе аналога учитывайте не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, крепление и разводку контактов.
• Производитель: Уточните оригинального производителя 50-12E8 (например, это может быть Powerex, SEMIKRON или другой бренд).

Если вам нужна более точная информация (например, datasheet), укажите производителя модуля.