IGBT 503GB126V3

Описание IGBT 503GB126V3

IGBT 503GB126V3 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой надежностью и эффективностью, что делает его пригодным для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления электроприводами.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 503 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | до 1000 А | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | ~2000 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | Полупроводниковый модуль (изолированный) | | Схема подключения | Одиночный IGBT с антипараллельным диодом |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги (производитель: Infineon, Fuji, Mitsubishi и др.)

• Infineon: FF1200R12IE4
• Mitsubishi: CM1200HC-66H
• Fuji Electric: 2MBI1200VXB-503-50

Совместимые модели (по характеристикам)

• IXYS IXGH120N120B3
• SEMIKRON SKM500GB126D
• STMicroelectronics STGW50HF120S

Применение

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнять распиновку и характеристики, так как даже совместимые аналоги могут иметь отличия в управлении затвором или тепловых параметрах. Для точного подбора лучше обращаться к даташитам производителей.