IGBT 50-4536

Описание IGBT 50-4536

IGBT 50-4536 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкие потери при переключении
• Быстрое переключение
• Встроенный свободный диод (в некоторых версиях)
• Надежная конструкция для промышленного применения

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------|----------------|
| Тип транзистора | NPT IGBT |
| Напряжение V_CES | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Сопротивление затвора (R_G) | 2.5 Ом |
| Время включения (t_d(on)) | 60 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 350 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 / TO-264 |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и кросс-номеры:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW75N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA75N120ANTD
• Mitsubishi (Renesas): CM75DY-24H
• STMicroelectronics: STGW75HF120S
• Toshiba: GT75Q321

Совместимые модели (по характеристикам):

• 50-4536 (оригинальный номер)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N120BND (Microsemi)
• IXGH75N120B3 (IXYS)
• APT75GR120J (Microchip)

Применение и замена

Если оригинальный модуль 50-4536 недоступен, можно использовать аналоги с близкими параметрами (V_CES ≥1200 В, I_C ≥75 А). При замене учитывайте:

1. Распиновку корпуса (TO-247 / TO-264).
2. Наличие встроенного диода (если требуется).
3. Тепловые характеристики (возможна доработка охлаждения).

Для точного подбора рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Если нужны дополнительные параметры или уточнения – укажите, дополню описание!