IGBT 50A-7MBR50SB120H-70

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 50A-7MBR50SB120H-70
Описание и технические характеристики IGBT модуля 50A-7MBR50SB120H-70
Общее описание
Модуль 7MBR50SB120H-70 – это IGBT-транзистор с обратным диодом (IGBT + FRD), разработанный для мощных преобразовательных устройств. Он используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления двигателями и других высоковольтных приложениях.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------------------------------| | Тип модуля | IGBT + свободный диод (NPT-IGBT + FRD) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC при 25°C) | 50 А | | Макс. импульсный ток (ICP) | 100 А | | Падение напряжения (VCE(sat)) | ≤ 2,1 В (при 25°C, 50 А) | | Время включения (ton) | ~ 80 нс | | Время выключения (toff) | ~ 400 нс | | Диодное напряжение (VF) | ≤ 2,2 В (при 25°C, 50 А) | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~ 0,35 °C/Вт | | Макс. температура перехода (Tj) | 150 °C | | Корпус | 7MBR (модуль с изолированным основанием) | | Вес | ~ 80 г |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и парт-номера
-
Fuji Electric:
- 7MBR50SB120H-70 (оригинал)
- 7MBR50SB120H-50 (аналог с другими параметрами)
- 7MBR50SB120 (базовая версия)
-
Infineon:
- FF50R12RT4
- FF50R12KT3
-
Mitsubishi:
- CM50DY-12H
- CM50DY-12S
-
SEMIKRON:
- SKM50GB12T4
Совместимые модели
Модуль может заменяться на аналогичные IGBT-модули с такими же или близкими параметрами:
- 1200 В, 50–75 А
- Тип корпуса: 7MBR, 6MBR, 2MBR (при совпадении распиновки)
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Солнечные инверторы
Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и распиновку модуля.