IGBT 50A-PM150RSD060

Описание IGBT-модуля 50A-PM150RSD060

PM150RSD060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным ультрабыстрым диодом, предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, частотных приводов, сварочного оборудования и промышленных инверторов. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой перегрузочной способностью и надежной изоляцией.

Технические характеристики

Основные параметры IGBT:

• Максимальный ток коллектора (Ic @ 25°C): 50 A
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 600 V
• Напряжение насыщения (Vce(sat) @ 25°C: 1.8 V (тип.)
• Время включения (ton): 45 нс (тип.)
• Время выключения (toff): 150 нс (тип.)
• Максимальная рабочая частота: до 20 кГц

Параметры встроенного диода:

• Максимальный прямой ток (If): 50 A
• Прямое падение напряжения (Vf @ 25°C): 1.7 V (тип.)
• Время восстановления (trr): 100 нс (тип.)

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (Tj): -40°C до +150°C
• Термическое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)): 0.45 °C/W

Механические параметры:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~60 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF50R06RT
• Fuji Electric: 2MBI50N-060
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Semikron: SKM50GB063D

Совместимые серии:

• PM150RSE060 (аналог с улучшенными динамическими характеристиками)
• PM75RSD060 (младшая модель, 75A)
• PM100RSD060 (100A версия)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводы и сервосистемы

Модуль PM150RSD060 подходит для замены устаревших IGBT-транзисторов в ремонтных работах и модернизации оборудования.

Если нужны дополнительные параметры или аналоги – уточните!