IGBT 50B120RH

IGBT 50B120RH: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT 50B120RH – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных ключевых применений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25–30 А (зависит от охлаждения) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | до 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~200–300 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,0–2,5 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~30–50 нс | | Время выключения (t_off) | ~100–200 нс | | Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (возможны другие варианты) | | Встроенный диод | Нет (если не указано иное) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги (зависит от производителя):

• Infineon: IKW50N120T2, IKW50N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW50H120DF
• IXYS: IXGH50N120B3
• Toshiba: GT50QR21

Совместимые модули (если используется в составе сборки):

• Полумост/мост: SKM50GB12x (Semikron), CM50DY-12H (Mitsubishi)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнить распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и корпусах.

Если нужна более точная информация по конкретному производителю, уточните модель или datasheet.