IGBT 50-RENESAS

Описание IGBT 50-RENESAS

IGBT 50-RENESAS – это силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный компанией Renesas Electronics. Этот компонент предназначен для высоковольтных и сильноточных приложений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Преобразователи частоты
• Электромобили и зарядные станции

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------------------------------|
| Максимальное напряжение (V_CES) | 600 В, 1200 В (в зависимости от модели) |
| Максимальный ток (I_C) | 50 А (при указанных условиях охлаждения) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8–2.5 В (типовое) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 50–200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.3–0.5 °C/Вт |
| Корпус | TO-247, TO-3P или модульный (в зависимости от версии) |
| Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Парт-номера Renesas (примеры):

• RJH50F5DPQ-A0 (600 В, 50 А, TO-3P)
• RJH50F7DPQ-A0 (1200 В, 50 А, TO-3P)
• RBN50H65T1FPQ-A0 (650 В, 50 А, модуль)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: IKQ50N120T (1200 В, 50 А, TO-247)
• STMicroelectronics: STGW50H60DF (600 В, 50 А, TO-247)
• Fuji Electric: 2MBI50U-060 (600 В, 50 А, модуль)
• ON Semiconductor: FGH50T65SQD (650 V, 50 A, TO-247)

Примечания:

• Для точного подбора аналога необходимо учитывать параметры схемы (напряжение, ток, частота переключений).
• Рекомендуется проверять даташит на конкретную модель перед заменой.

Если вам нужны дополнительные данные по конкретной модели, уточните парт-номер или тип корпуса.