IGBT 50-RJH3047

Описание IGBT модуля 50-RJH3047

IGBT модуль 50-RJH3047 – это высоковольтный силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, импульсных источниках питания и других мощных электронных системах. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и надежную конструкцию с изолированным основанием.

Основные технические характеристики

1. Напряжения:

   • Коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
   • Импульсное напряжение (V_CESP): 1300 В
   • Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В

2. Токи:

   • Коллекторный ток (I_C при 25°C): 75 А
   • Коллекторный ток (I_C при 80°C): 50 А
   • Импульсный ток (I_CP): 150 А

3. Мощность и тепловые параметры:

   • Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
   • Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 К/Вт
   • Максимальная температура перехода (T_j): 150°C

4. Параметры переключения:

   • Время включения (t_on): 80 нс
   • Время выключения (t_off): 350 нс
   • Энергия переключения (E_on + E_off): 10 мДж

5. Конструктивные особенности:

   • Тип корпуса: IHV (Isolated High Voltage)
   • Количество IGBT в модуле: 2 (полумостовая схема)
   • Встроенный диод (FRD): Да (антипараллельный)
   • Изоляция основания: Да (2500 В)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Прямые аналоги:

  • FGA75N120ANTD (Fairchild)
  • CM75DY-12H (Mitsubishi)
  • SKM75GB12T4 (Semikron)

• Альтернативные (с проверкой схемы):

  • IRG4PH50UD (Infineon)
  • STGW75HF60SD (STMicroelectronics)
  • IXGH75N120B3 (IXYS)

Совместимые модули в схемах:

• 50-RJH3045 (аналог с меньшим током)
• 50-RJH3050 (более мощная версия)
• CM100DY-12H (100A, Mitsubishi)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять распиновку и параметры, так как у разных производителей могут быть отличия в характеристиках.

Нужна дополнительная информация?