IGBT 50-RJP30H1DPD

Описание и технические характеристики IGBT 50-RJP30H1DPD

Описание:
IGBT 50-RJP30H1DPD – это высоковольтный IGBT-транзистор с интегрированным ультрабыстрым диодом, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, сварочного оборудования, инверторов и промышленных систем управления. Модуль обладает низкими потерями при переключении и высокой надежностью благодаря технологии Trench Gate.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 25 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 (RJP) |
| Интегрированный диод | Да (Ultra-Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги и парт-номера:

  • IRG4PH50UD (International Rectifier)
  • FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
  • HGTG30N120B3D (Microsemi)
  • IXGH50N120B3D (IXYS/Littelfuse)
  • STGW50H120DF (STMicroelectronics)

• Совместимые модули (в схожих корпусах и параметрах):

  • 50RIA120 (с диодом)
  • 50RJH120 (без диода)
  • 30F120 (близкий по параметрам, но с меньшим током)

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна более точная информация по замене или аналогам, уточните тип оборудования и условия эксплуатации.