IGBT 56/04

Описание IGBT 56/04

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 56/04 – это биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и силовых приложений. Он сочетает преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии).

Применяется в:

• Преобразователях частоты
• Инверторах
• Импульсных источниках питания
• Сварочном оборудовании
• Электроприводах

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|---------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 400 В |
| Ток коллектора (I_C) | 56 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 112 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Тип корпуса | TO-247, TO-3P (в зависимости от модификации) |
| Температура перехода (T_j) | -40…+150 °C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW40N65H5, IKW50N60T
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N65SMD
• STMicroelectronics: STGW40NC60WD
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• IXYS: IXGH40N60B3D1

Совместимые модели в схемах:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N60A4D (Fairchild)
• APT50GF60JU2 (Microsemi)

Если требуется точная замена, необходимо учитывать параметры схемы (напряжение, ток, частота переключений).

Нужна дополнительная информация по применению или datasheet?