IGBT 57-16E

Описание IGBT-модуля 57-16E

IGBT 57-16E – это силовой полупроводниковый модуль, предназначенный для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает в себе биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) и антипараллельный диод, что обеспечивает эффективное управление высокими токами и напряжениями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 57 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 114 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 250 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,2 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Температурный диапазон | -40°C … +150°C |
| Корпус | Стандартный (например, 62 мм) |
| Вес | ~150 г |

Парт-номера и совместимые модели

Модуль 57-16E может иметь альтернативные обозначения в зависимости от производителя. Возможные аналоги и замены:

Прямые аналоги (по характеристикам):

• Infineon: FF57R16KE3
• Fuji Electric: 6MBI50VA-160
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• SEMIKRON: SKM75GB16E

Совместимые модели (с проверкой распиновки):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N60B3 (ON Semiconductor)
• STGW40H160DF (STMicroelectronics)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Тяговые приводы
• ИБП и солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется проверять распиновку и тепловые характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции корпуса.

Если вам нужен более точный аналог, укажите производителя оригинального модуля.