IGBT 5-DF75BA80

Описание IGBT модуля 5-DF75BA80

5-DF75BA80 – это IGBT-модуль, предназначенный для использования в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает в себе высокую переключаемую мощность, низкие потери и надежную конструкцию, что делает его пригодным для промышленных применений.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип модуля: IGBT + диод (DUAL)
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Ток коллектора (IC @ 80°C): 75 А (номинальный)
• Ток коллектора (IC @ 25°C): 150 А (максимальный)
• Импульсный ток (ICP): 300 А
• Мощность рассеивания (Ptot): 300 Вт
• Напряжение насыщения (VCE(sat)): ~1.8 В (типовое)
• Время включения/выключения (ton/toff): ~50/200 нс

Диодные характеристики:

• Обратное напряжение (VRRM): 1200 В
• Прямой ток (IF): 75 А

Тепловые параметры:

• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0.25 °C/Вт

Механические характеристики:

• Корпус: модульный, изолированный
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~150 г

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: FF75R12KE3, FF75R12KT3
• Fuji Electric: 2MBI75U4H-120
• Mitsubishi Electric: CM75DY-12H

Совместимые альтернативы (с проверкой распиновки):

• Semikron: SKM75GB12T4
• IXYS: MIXA75PF1200T

Применение

Модуль 5-DF75BA80 используется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется дополнительная информация по замене или применению, уточните параметры вашей схемы.