IGBT 5-G4PH40UD2-E

Описание IGBT 5-G4PH40UD2-E

IGBT 5-G4PH40UD2-E – это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с интегрированным диодом обратного хода (антипараллельный диод), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|---------------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 40 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 80 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при ном. токе) |
| Время включения (t_d(on)) | ~45 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | ~200 нс |
| Диод обратного хода | Встроенный, макс. ток 40 А |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.35 °C/Вт |
| Корпус | 5-выводной (обычно TO-247 или аналог)|
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW40N120H3, IKW40N120T2
• Fuji Electric: 2MBI40U1H-120
• Mitsubishi Electric: CM40DY-12H
• SEMIKRON: SKM40GB12T4

Рекомендуемые парт-номера от других производителей:

• IXYS: IXGH40N120B3
• ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG

Применение

Модуль используется в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Сварочных аппаратах
• Импульсных источниках питания
• Управлении электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.