IGBT 5-VP435

Описание IGBT 5-VP435

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 5-VP435 — это высоковольтный силовой транзистор, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах силовой электроники. Модуль обеспечивает эффективное переключение при высоких напряжениях и токах, обладает низкими потерями проводимости и высокой термической стабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | IGBT + диод (часто в одном корпусе) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C при 25°C) | 40 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 80 А |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при I_C = 20 А) |
| Время включения (t_on) | ~35 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера:

• 5-VP435 (возможна маркировка от производителя, например IXYS, Infineon, STMicroelectronics)
• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• HGTG40N60B3 (Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модели:

• FGA40N60 (Fairchild/ON Semi)
• IXGH40N60 (IXYS)
• STGW40H60DF (STMicroelectronics)
• MG40Q6ES40 (Toshiba)

Применение и совместимость

Модуль 5-VP435 может использоваться в:

• Инверторах и частотных приводах
• Сварочных инверторах
• ИБП (источниках бесперебойного питания)
• Системах управления электродвигателями

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров (особенно V_CES, I_C, корпус и схему включения).

Если требуется уточнение по конкретному производителю или замене, укажите дополнительную информацию о вашем устройстве.