IGBT 60B120

Описание IGBT 60B120

IGBT 60B120 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он обладает высоким напряжением коллектор-эмиттер (VCES) и высокой токовой нагрузкой, что делает его пригодным для инверторов, преобразователей, сварочного оборудования, электроприводов и других устройств с высокой коммутационной мощностью.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В).
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)).
• Быстрое переключение, подходящее для высокочастотных применений.
• Встроенный обратный диод (FRD) для защиты от обратных токов.
• Хорошая термостабильность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 60 А | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 30 А | | Импульсный ток (ICM) | 120 А | | Падение напряжения (VCE(sat)) | ~2,0 В (при IC = 60 А) | | Время включения (ton) | ~50 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) | | Корпус | TO-247, TO-3P или аналогичный | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT 60B120 может иметь аналоги от разных производителей. Ниже приведены возможные эквиваленты и совместимые модели:

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW60N120T2
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA60N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW60H120DF2
• Mitsubishi: CM60DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI60N-120

Совместимые модели (схожие параметры):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 55 А, 1200 В)
• HGTG30N120BND (Fairchild, 30 А, 1200 В)
• IXGH60N120B3 (IXYS, 60 А, 1200 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы и сервосистемы
• Солнечные инверторы

Если вам нужны точные данные для конкретного производителя, уточните маркировку, так как параметры могут незначительно отличаться.