IGBT 60n60

Описание IGBT 60N60

IGBT 60N60 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений.
Основные области применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование
• UPS (источники бесперебойного питания)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 60 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 120 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 60 А) |
| Мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Сопротивление затвор-эмиттер (R_GE) | 2,5 Ом |
| Заряд затвора (Q_g) | 120 нКл |
| Корпус | TO-247 / TO-3P |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650V, 60A)
• HGTG30N60A4D (Renesas, 600V, 60A)
• STGW60H65DFB (STMicroelectronics, 650V, 60A)
• IXGH60N60B3D1 (IXYS, 600V, 60A)

Аналоги с другими корпусами:

• IRGP4063DPBF (TO-247AC, 600V, 55A)
• FGH60N60SMD (TO-247, 600V, 60A)

Примечания:

1. При замене аналогами учитывайте напряжение, ток, заряд затвора и корпус.
2. Для мощных применений рекомендуется использовать радиатор и термопасту.
3. Проверяйте datasheet перед заменой, так как параметры могут отличаться в зависимости от производителя.

Если нужны более точные данные по конкретному производителю (Infineon, ST, Fairchild и др.), уточните маркировку, так как 60N60 может выпускаться разными брендами с небольшими отличиями.