IGBT 6BMI175VA060

Описание IGBT модуля 6BMI175VA060

6BMI175VA060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и силовых применений. Модуль выполнен в стандартном корпусе и содержит два транзистора IGBT с обратными диодами (NPT-технология). Используется в преобразователях частоты, инверторах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | 2 в 1 (Dual IGBT) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C при 25°C) | 175 А | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 350 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Встроенный диод | Да (FWD) | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 625 Вт | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,20 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Корпус | 6-pack (серия 6BMI) | | Вес | ~100 г |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Fuji Electric:
  • 6MBP175RA060
  • 6MBI175VA-060

Совместимые/аналогичные модели от других производителей:

• Infineon: FF175R06KE3
• Mitsubishi: CM175DY-24S
• SEMIKRON: SKM175GB066D

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Промышленные приводы
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Если вам нужна более точная информация по заменам, рекомендуется свериться с даташитами производителей.