IGBT 6BMI50VA060-50

IGBT 6BMI50VA060-50
Артикул: 295916

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT 6BMI50VA060-50

Описание IGBT модуля 6BMI50VA060-50

Производитель: Mitsubishi Electric (возможны другие варианты, уточните бренд)
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – силовой полупроводниковый модуль с диодом.
Назначение: Используется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, импульсных источниках питания и других силовых электронных устройствах.


Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 50 А |
| Ток коллектора (импульсный, ICP) | 100 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | ~200 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~1,8 В (при 25 А) |
| Время включения (ton) | ~100 нс |
| Время выключения (toff) | ~300 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C ... +150°C |
| Тип корпуса | 6-выводной модуль (стандартный для IGBT) |


Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (зависит от производителя):

  • Infineon: FF50R06RT4
  • Fuji Electric: 6MBI50VA-060
  • SEMIKRON: SKM50GB063D

Близкие по параметрам модели:

  • Mitsubishi: CM50DY-24H (600V, 50A)
  • Toshiba: MG50Q6ES40 (600V, 50A)
  • STMicroelectronics: STGW50HF60WD (600V, 50A)

Примечания

  1. Перед заменой уточните распиновку и характеристики, так как разные производители могут иметь отличия.
  2. Для точного подбора аналога используйте даташиты производителей.
  3. В случае использования в критичных системах рекомендуется оригинальный модуль.

Если у вас есть дополнительные параметры или уточнения по производителю – сообщите, чтобы можно было скорректировать данные.

Товары из этой же категории