IGBT 6BMI50VA060-50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 6BMI50VA060-50
Описание IGBT модуля 6BMI50VA060-50
Производитель: Mitsubishi Electric (возможны другие варианты, уточните бренд)
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – силовой полупроводниковый модуль с диодом.
Назначение: Используется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, импульсных источниках питания и других силовых электронных устройствах.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 50 А |
| Ток коллектора (импульсный, ICP) | 100 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | ~200 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~1,8 В (при 25 А) |
| Время включения (ton) | ~100 нс |
| Время выключения (toff) | ~300 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C ... +150°C |
| Тип корпуса | 6-выводной модуль (стандартный для IGBT) |
Альтернативные парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (зависит от производителя):
- Infineon: FF50R06RT4
- Fuji Electric: 6MBI50VA-060
- SEMIKRON: SKM50GB063D
Близкие по параметрам модели:
- Mitsubishi: CM50DY-24H (600V, 50A)
- Toshiba: MG50Q6ES40 (600V, 50A)
- STMicroelectronics: STGW50HF60WD (600V, 50A)
Примечания
- Перед заменой уточните распиновку и характеристики, так как разные производители могут иметь отличия.
- Для точного подбора аналога используйте даташиты производителей.
- В случае использования в критичных системах рекомендуется оригинальный модуль.
Если у вас есть дополнительные параметры или уточнения по производителю – сообщите, чтобы можно было скорректировать данные.