IGBT 6DI50A050

IGBT 6DI50A050 – Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT 6DI50A050 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике: частотных преобразователях, инверторах, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других устройствах с высокими токами и напряжениями.

Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение, и обладает низкими потерями при переключении, что делает его пригодным для высокочастотных приложений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А (макс.) | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А (макс.) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 50 А) | | Время включения (t_on) | 45 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 160 нс (тип.) | | Максимальная температура перехода (T_j) | 150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Затворный заряд (Q_g) | 120 нКл (тип.) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• IXGH50N60B3 (IXYS)
• STGW50H65DFB (STMicroelectronics)

Другие совместимые модели (аналогичные параметры):

• 6DI50A060 (более высокое напряжение, 600 В)
• 6DI75A050 (аналог с увеличенным током)
• IRGP50B60PD1 (Infineon)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужна более точная информация по конкретному производителю или даташит, уточните бренд модуля.