IGBT 6DI50B-050

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 6DI50B-050

6DI50B-050 – это IGBT-модуль (изолированный биполярный транзистор с затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в инверторах, преобразователях частоты, системах управления электродвигателями и источниках питания.

Основные технические характеристики:

• Тип модуля: IGBT (с диодом обратного хода)
• Класс напряжения: 500 В
• Номинальный ток (IC @ 25°C): 50 А
• Максимальный импульсный ток (ICM): 100 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 1,8 В (типовое)
• Открывающее напряжение затвора (VGE): ±20 В
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Температурный диапазон: -40°C … +150°C
• Корпус: модульный, изолированный (с базовой пластиной)
• Количество ключей: 1 (полумаост)
• Встроенный обратный диод: Да

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться по характеристикам, поэтому перед заменой рекомендуется проверять документацию.

Оригинальные и альтернативные парт-номера:

• 6DI50B-050 (оригинальный номер)
• CM50DY-12H (Mitsubishi)
• SKM50GB063D (Semikron)
• FF50R12RT4 (Infineon)
• MG50Q2YS40 (Toshiba)

Совместимые модели (похожие параметры):

• 6DI50B-060 (600 В, 50 А)
• 6DI75B-050 (500 В, 75 А)
• 6DI40B-050 (500 В, 40 А)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Промышленные системы управления

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом производителя или консультироваться с поставщиком.