IGBT 6DI75A050

Описание IGBT модуля 6DI75A050

6DI75A050 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) от компании Infineon Technologies, предназначенный для управления высокими токами и напряжениями в силовой электронике. Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и простоту монтажа.

Основные характеристики:

• Тип модуля: IGBT + диод (3-фазный мост)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 500 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 75 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 150 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1,8 В (тип.)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Тепловое сопротивление (R_thJC): 0,35 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C
• Корпус: 6-выводной, изолированный

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги от Infineon:

• 6DI75A050-1 (модифицированная версия)
• 6DI75A050-3 (с улучшенными характеристиками)
• IRG4PH50UD (аналог в другом корпусе)

Совместимые модели других производителей:

• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 6MBP75RA050
• SEMIKRON: SKM75GB063D

Применение:

• Частотные преобразователи
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные инверторы

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос.