IGBT 6MBI100120-52

Описание IGBT-модуля 6MBI100120-52

Производитель: Mitsubishi Electric
Серия: N-series (N100)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (IGBT + Diode)
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных силовых установках.

Технические характеристики

Основные параметры

• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Пиковый ток (I_CP): 200 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 400 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Параметры IGBT

• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2.5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 90 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс

Параметры диода

• Макс. обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямое падение напряжения (V_F): 1.8 В (тип.)
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Термические характеристики

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.25 °C/Вт
• Корпус: модуль с изолированным основанием

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric

• 6MBI100U4-120-52 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 6MBI100V-120-50 (альтернативная версия)
• 6MBI100U4-120-50 (схожий модуль)

Совместимые модели других производителей

• Infineon: FF100R12KT4
• Fuji Electric: 6MBI100C-120
• Semikron: SKM100GB12T4

Примечание

Рекомендуется проверять распиновку и характеристики перед заменой, так как параметры могут незначительно отличаться. Для точного подбора аналога следует обращаться к даташитам производителей.

Если вам нужна дополнительная информация (схемы подключения, графики характеристик), уточните запрос.