IGBT 6MBI100VX120-50

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 6MBI100VX120-50

Производитель: Fuji Electric (Mitsubishi Electric также выпускает аналогичные модули)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (встроенный FRD)
Конфигурация: 2 в 1 (два IGBT и два диода в одном корпусе)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы.

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Пиковый ток (I_CP): 200 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 500 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,9 В (тип.)
• Время включения (t_on): 0,3 мкс
• Время выключения (t_off): 1,2 мкс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Корпус: 6MBI (изолированный, с винтовыми клеммами)

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги от Fuji Electric:

• 6MBI100VB120-50 (аналогичные характеристики)
• 6MBI100VB120-50-03 (с дополнительной опцией)

Совместимые модели от других производителей:

• Mitsubishi Electric: CM100DY-24H (1200V, 100A)
• Infineon: FF100R12KT3 (1200V, 100A)
• SEMIKRON: SKM100GB12T4 (1200V, 100A)
• IXYS: MIXA100VB1200 (1200V, 100A)

Примечания по замене:

1. При замене на аналог обязательно проверять:
   • Распиновку и расположение выводов.
   • Напряжение и токовые характеристики.
   • Термическое сопротивление.
2. Рекомендуется использовать оригинальный модуль в критичных системах.

Если нужны дополнительные параметры (графики, механические размеры) — уточните!