IGBT 6MBI150U2B-060

Описание IGBT модуля 6MBI150U2B-060

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой бренд, если указано иначе)
Тип: IGBT-модуль с N-канальными транзисторами и встроенным диодом (обычно используется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями).
Назначение: Преобразование и управление мощностью в силовой электронике (например, в промышленных приводах, сварочных аппаратах, источниках бесперебойного питания).

Технические характеристики

1. Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
2. Ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
3. Ток короткого импульса (I_CP): До 300 А (зависит от условий)
4. Мощность рассеивания (P_tot): ~300–400 Вт (с учетом теплоотвода)
5. Скорость переключения: Высокая (типично для IGBT)
6. Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1.8–2.5 В (при номинальном токе)
7. Температурный диапазон:
   • Рабочая: -40°C до +125°C
   • Хранения: -40°C до +125°C
8. Корпус: Стандартный модульный (например, 6MBI-серии)
9. Встроенные диоды: Быстрые обратные диоды (FRD) для защиты.

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Mitsubishi (если применимо):

• 6MBI150U2B-060 (полное совпадение)
• 6MBI150U2B-120 (аналог с другим напряжением, например, 1200 В)
• 6MBI150U4B-060 (возможная версия с иными параметрами)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF150R06KE3, FF150R06KT3
• Fuji Electric: 6MBI150U2B-060 (возможно, тот же OEM)
• SEMIKRON: SKM150GB066D
• ON Semiconductor: NXH150B600H3Q2

Примечания по замене

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики (особенно V_CES, I_C, корпус).
• Учитывайте условия охлаждения (модули требуют теплоотвода).
• Рекомендуется сверяться с даташитами производителя.

Для точной информации уточните производителя (Mitsubishi, Fuji и др.), так как номенклатура может отличаться. Если нужен даташит, его можно найти по точному номеру на сайтах DatasheetArchive или Mitsubishi Electric.