IGBT 6MBI150UB120

Описание IGBT модуля 6MBI150UB120

6MBI150UB120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Используется в:

• Промышленных инверторах
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Устройствах плавного пуска
• Сварочных аппаратах

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC @ 25°C) | 150 А | | Ток коллектора (IC @ 80°C) | 75 А | | Импульсный ток (ICM) | 300 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.0 В (тип.) | | Время включения (ton) | 150 нс | | Время выключения (toff) | 600 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.12 °C/Вт | | Корпус | 6-выводной, изолированный (Mini-SEMITOP) | | Температура хранения | -40°C до +125°C | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги Mitsubishi:

• 6MBI150UZ120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 6MBI150UE120 (альтернативное исполнение)

Аналоги других производителей:

• Infineon: FF300R12KE3
• Fuji Electric: 6MBI150VA-120-50
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• Hitachi: 6MBI150L-120

Примечания по замене

При замене модуля необходимо учитывать:

• Распиновку и конструкцию корпуса
• Тепловые характеристики (радиатор)
• Напряжение и токовую нагрузку
• Время переключения (для высокочастотных схем)

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты производителей.

Если нужна дополнительная информация, уточните детали!