IGBT 6MBI150UB-120-50

Описание IGBT модуля 6MBI150UB-120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, уточните)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (встроенный антипараллельный диод)
Назначение: Используется в силовой электронике, преобразователях частоты, инверторах, системах управления двигателями, импульсных источниках питания и других высоковольтных/высокотоковых приложениях.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток в импульсе (I_CP): 300 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 750 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1.8 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~100 нс
• Время выключения (t_off): ~300 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Характеристики встроенного диода:

• Максимальный обратный ток (I_F): 150 А
• Прямое падение напряжения (V_F): ~1.5 В

Конструкция:

• Корпус: модульный, изолированный (например, 6-выводной)
• Монтаж: на радиатор (с теплопроводящей пастой или прокладкой)
• Изоляция: напряжение изоляции ~2500 В

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

1. Infineon: FF150R12KE3
2. Fuji Electric: 6MBI150VA-120-50
3. SEMIKRON: SKM150GB12T4
4. ON Semiconductor: NXH150B120H3Q1

Похожие модели Mitsubishi (если это оригинал):

• 6MBI150U4-120-50
• 6MBI150UZ-120-50
• 6MBI150VX-120-50

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в динамических параметрах.
• Для точного подбора учитывайте условия эксплуатации (частоту переключений, температуру, нагрузку).

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики зависимостей или данные по тепловому сопротивлению), уточните!